DDR3有望明年出世

速度在不断飙升!AMD的AM2接口 K8架构处理器引入最高DDR2 800的支持，而Intel也在7月23日发布了万众期待的Conroe处理器并进行史上规模最大的“恐怖袭击”；电脑市场似乎在2006年已经提前进入了DDR2 800的极速时代。RD600支持1500Mhz的前端总线超频，可惜在Computex 2006台北电脑展上面，RD600似乎“临时放弃”了DDR3内存的支持，转为支持DDR2 1066的内存，所以DDR3内存未能在2006年和观众们见面。

DDR3相比起DDR2有更低的工作电压， 从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读，DDR3目前最高能够可以达到1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。在Computex大展我们已经可以看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组了。

DDR3在DDR2基础上采用了8bit预取设计；点对点的拓朴架构，以及100nm以下的生产工艺等最新工艺，那么DDR3与DDR2到底有那些不一样的地方呢？相比DDR2发烧友和玩家们可以得到哪些性能上的提升呢？

更灵活的突发长度

由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop突发突变模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制

寻址时序提高

就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数：“写入延迟”，这一参数将根据具体的工作频率而定。